芯片高低溫測試設(shè)備性能指標(biāo)保護(hù)措施：

1、可靠的接地保護(hù)裝置  

2、電源欠壓、缺相保護(hù)  

3、獨(dú)立的工作室超溫保護(hù)  

4、制冷機(jī)超壓、過載、油壓欠壓保護(hù);  

5、加熱器短路、過載保護(hù)  

6、漏電保護(hù)、報警聲訊提  

芯片高低溫測試設(shè)備規(guī)格型號及技術(shù)參數(shù)：

1.溫度范圍：-20~+150℃/-40~+150℃/-50~+150℃/-60~+150℃/-70~+150/-85~+150℃。  

2.控制穩(wěn)定度：±0.5℃  

3.分布均勻度：±1.5℃  

4.正常升溫時間：-+20℃~+150℃小于45分鐘非線性空載。  

5.正常降溫時間：+20~-20℃小于45分鐘/+20~-40℃小于60分鐘/+20~-50℃小于65分鐘.  

+20~-60℃小于70分鐘/+20~-70℃小于75分鐘/20~-85℃小于100分鐘非線性空載.  

適合測試：鋰離子、鎳氫、鎳鎘、鉛酸、金屬氫化物鎳等多種類型的單體電池和電池組，依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)GB8897.4-200(idtIEC60086-4：2000)《原電池第4部分：鋰電池的要求》、GB8897.5-2006(idtIEC60086-5：2005)《原電池第5部分：水溶液電解質(zhì)電池的要求》、IEC62133：2002《堿性或其它非酸性電解液二次單體電池和電池組便攜式密封二次單體電池和電池組的要求》、IEC61951-1：2003《含堿性或其它非酸性電解質(zhì)的便攜式密封可再充電電池和電池組第1部分:  

芯片高低溫測試設(shè)備執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：  

1.GB10586-2006濕熱試驗箱技術(shù)條件(本公司為起草單位之一)  

2.GB10589-2008低溫試驗箱技術(shù)條件(本公司為起草單位之一)  

3.GB10592-2008芯片高低溫測試設(shè)備技術(shù)條件(本公司為起草單位之一)  

4.GB11158-2006高溫試驗箱技術(shù)條件(本公司為起草單位之一)  

5.GB/T2423.1-2001試驗A：低溫試驗方法  

6.GB/T2423.2-2001試驗B：高溫試驗方法  

7.GB/T2423.3-1993試驗Ca:恒定濕熱試驗  

8.GB/T2423.4-1993試驗Db：交變濕熱試驗方法